台积电和ARM联合展示首款基于7nm中介层的多芯片系统:为高

2019-11-07 08:14:00 2629次浏览

导读:   台积电和arm在今天联合宣布他们首创了业界第一个基于7nm工艺的多芯片系统。这个用于高性能计算领域的多芯片系统的原型是基于多个高速arm核心和一条mesh总线,使用了台积电最新的lipincon内部互

TSMC和arm今天联合宣布,他们已经率先推出了业界首款基于7纳米工艺的小芯片系统。这款高性能计算(hpc)领域的多芯片系统原型基于多个高速arm内核和一条网状总线,采用TSMC最新的lipincon互连技术和cowos封装技术。

Amd在zen 2架构之上使用典型的小芯片系统。cpu的计算核心分为四个ccx。ccx通过无限结构相互连接。两个ccx,即八个内核,是一组ccd,一个ccd是独立的小芯片。然而,原来的集成cpu非核心部分被分离出来,用作i/o芯片。ccd和i/o芯片同时封装在基板上,这是典型的小芯片系统。

采用多芯片设计可以有效降低芯片的制造成本,特别是在7纳米时代,大内核的产量不能满足要求,生产成本也很高。因此,amd直接使用在zen 2处理器家族的衬底上封装由两种不同技术生产的芯片的技术来控制总成本,并且可以提高产量。结果证明amd的选择更加明智。

TSMC和arm共同建造的新原型系统包括两个模具。每个芯片有四个arm a72内核,运行速度为4ghz。它们有2mb l2缓存和6mb l3缓存。这两个芯片通过TSMC的lipincon总线连接,在0.3v的电压和8gt/s的传输速度下,其带宽可以达到320gb/s。结合cowos封装技术,TSMC宣称其功耗效率可以达到0.56皮焦耳每比特,而带宽密度可以达到1.6tb/s每平方毫米。相比之下,amd的infinity结构总线约为2pj/位,英特尔声称其emib总线为0.3 pj/位,mdio为0.5 pj/位。

TSMC表示,该系统的样本于2018年12月发布,生产于今年4月开始。他们将披露今年vlsi的更多细节。

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